蓉矽半导体1200V 40mΩ SiC MOSFET电压等级为1200V，AEC-Q101标准中对H3TRB项目的反偏电压要求通常为100V，而HV-H3TRB考核则需将考核电压提高到960V，蓉矽SiC MOSFET在此次考核中顺利通过了 HV-H3TRB可靠性验证，同时对于应用端特别关注的栅氧可靠性问题，蓉矽的

　　通过了VGS=+22V/-8V的严苛HTGB考核，表明器件在在更为极端的应用场景中，也有优秀的稳定性和可靠性，可满足新能源汽车、光伏逆变等领域对功率器件的高质量和车规级可靠性要求。

　　现阶段行业中，AEC-Q101只是车规的门槛，如何保证交给客户的每一个批次、每一颗产品都是符合这个标准的才是考验。蓉矽半导体正在用DFR设计理念，全供应链管理体系，完整的质量管理体系向客户提供高质量、高可靠性SiC功率器件。

　　采用沟道自对准工艺和凸多边形密铺的元胞布局形式，增加沟道密度、降低沟道电阻，提升器件在单位面积内的电流能力；

　　采用多晶硅网络优化技术，充分降低栅极内阻，提高器件在开关过程中对输入电容的充放电速度，降低器件开关损耗；

　　采用结终端优化技术，降低器件在结终端的曲率效应，提高器件耐压能力；采用开尔文源的PAD设置，降低封装中的杂散电感；VDD=800V时，短路耐受时间>

　　3μs，TO-247-4

　　在下图中，A为外商产品，B为国内厂商产品；所对比产品规格接近，封装形式皆为TO-247-3L，驱动电压采用各厂商

　　值，测试结果采用标准化处理且蓉矽产品为“1”。从对比结果可以看出，得益于密勒电容和多晶硅电阻的优化，蓉矽第一代SiC MOSFET在开关损耗上的表现在所有竞品中处于较好水平。

　　模块时，可有效减少器件数量、简化系统、降低损耗、提高效率，推动提高充电速度、实现续航突破。

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